AI芯片先进封装提速，真空PI固化成为CoWoS工艺关键环节
在AI大模型、高性能GPU、HBM高带宽内存、Chiplet芯粒架构需求持续增长的背景下，以CoWoS为代表的2.5D/3D先进封装已成为半导体产业的重要技术方向。更高集成度、更细线宽、多层RDL布线的封装需求，推动上下游制程工艺全面升级，其中聚酰亚胺（PI）固化直接关系到芯片封装良率、长期可靠性与产品稳定性。
一、PI固化：先进封装的关键工序
聚酰亚胺（PI）是先进封装RDL再分布层、钝化层、缓冲层的核心基材。PI前驱体经过涂胶、曝光、显影后，需完成完整热亚胺化反应，脱去DMAc、NMP有机溶剂与反应副产物，才能形成稳定的绝缘薄膜。
一套标准PI固化流程分为四大阶段：
低温排溶剂：100–150℃
中温亚胺化：200–250℃
高温完全固化：300–350℃以上
分段程序降温
全程需维持100ppm以下超低氧环境，以保障薄膜的介电、机械及外观性能。
在CoWoS、Fan-out、3D封装持续微缩布线、堆叠更多介质层的趋势下，传统氮气循环固化方式在挥发物排出效率和高温热预算控制方面存在一定的技术局限，可能影响封装良率与产品稳定性。
二、YES真空PI固化方案的技术特点
YES良率工程系统推出的真空PI固化解决方案，覆盖研发试样到大批量量产全场景。
产品平台
PB8、PB12实验室机型：适配工艺开发、新材料验证及前期试样研发，用于摸索PI固化工艺窗口，灵活调试温区、真空、氮气参数，适合封测厂、材料企业的前期研发迭代。
VertaCure量产平台：面向规模化先进封装产线，兼顾高产能与持续运行稳定性，适用于CoWoS、HBM配套的大批量生产需求。
真空固化技术特点
• 挥发物脱除：真空负压环境可高效抽走溶剂与反应副产物，有助于减少RDL层气泡、空洞等缺陷。
• 热预算控制：同等固化效果下可降低制程温度，缩减整体热预算，有助于减弱高温带来的晶圆形变与内部热应力。
• 氧化防护：真空配合高纯氮气防护，可避免PI膜氧化发黄，保障膜层厚度均匀性。
• 温控一致性：腔体全域温度一致性较好，批次间工艺重复性较高。
三、应用场景
YES的PB系列与VertaCure设备可应用于以下领域：
• CoWoS、Fan-out、2.5D/3D IC先进封装
• MEMS微机电系统
• 功率半导体器件
• 化合物半导体芯片
上海迹亚国际商贸有限公司作为YES品牌国内官方授权代理商，可为国内半导体企业提供设备选型方案定制、前期工艺测试、设备进口报关、现场装机调试、售后运维保养、工艺参数优化等全流程配套服务。
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